Driver P-mosfet tranzistoru

[Jirka]

Ale ja Ti neodporuju, v podstate jsem jinymi slovy a zjednodusene napsal 
totez...

Jirka


Danhard napsal(a):
> Jiri, prevazne jde o odvedeni prostoroveho naboje gate, vliv zpetnovazebni
> kapacity je jen castecny,
> naboj na gate to popisuje celkem dostatecne, jelikoz i zpetnovazebni kapacita
> se dost meni s napetim.
> Pri zbytecnem "prebuzeni" FET pres 10V Ugs se take zbytecne tento naboj
> zvetsuje, nezavisle na dalsich podminkach, a tim se prodluzuje turn-off delay.
> 
> Nevim o jaky FET jde, ale 10mA neni pro dynamicke moc neni.
> 
> Danhard
> 
> 
> 
>>Soustredte se na problem nabijeni vstupni, resp. "Millerovy" (tedy
>>zpetnovazebni) kapacity MOSFETu tim 10mA proudem a zkuste si tam dosadit
>>konkretni cisla - tedy pokud Vam jde o spinaci hranu. Cim je ten proud
>>omezen - odporem v kolektoru toho bipolaru? Rozpinaci hranu by mohl
>>zajistit onen NPN transistor odvadejici naboj z hradla (je na to zname
>>zapojeni, ted nemam cas to hledat ani kreslit).


-- 
Jirka