Simulace 4-vyvodovych MOSFET ve S*P*I*C*E

[David Belohrad]

Vidim ze na me posledni dotazy (integrator/mosfet) se tezko hledaji odpovedi
i v konferenci. Odpovim si tedy sam, 'anobrz' to muze nekoho taky zajimat.
(Za odpoved dik p. Kolkovi z UREL v Brne)

Ve spice jsou MOSFETY standardne simulovany jako 4-polove soucastky, spojene
nozicky substratu a source jsou az na urovni schematicke znacky. Nicmene ve
spice je v knihovne
soucastka ktera se jmenuje MbreakN, ktera je v podstate symbol s vyvedenym
substratem mosfetu. takove soucastce pak staci zmenit referencni model za
mosfet tranzistor (ja jsem mel k dispozici 2n4351 ve 3-polovem zapojeni),
ktery chceme pouzit (Edit/Model/Change model reference). To je oficialni
postup. Ten neoficialni, ktery jsem nasel po dlouhem badani je asi ten, ze
firma Calogic(?), ktera vyrabi ty 4-vyvodove mosfety, vyrabi take zajimave
IO, ktere jsou v postate ctverice techto mosfetu s vyvedenym substratem
(SD5000). Tak jsem misto tranzistoru pouzil tento IO, ktery ma model ve
spice. Jak jednoduche mily Watsone.
d.

------------------------------------------
David Belohrad, Div. PS/Beam Diagnostics
C.E.R.N. Site de Meyrin, CH 1211 Geneva 23
http://www.cern.ch
David.Belohrad@cern.ch
Tel +41.22.76.76318  Fax +41.22.76.78200
GSM +41.79.73.50937
------------------------------------------




Zdravim,
Nevite nahodou jak nasimulovat ve spicu MOSFET tranzistor, ktery ma 4
vyvody. Klasicky maji vsechny tranzistory
co jsem zatim videl v knihovnach spojeny 4 vyvod (pouzdro) se SOURCE. To je
ovsem nepouzitelne kdyz potrebuji spinat bipolarni signal,
protoze tohle zapojeni v podstate generuje diodu ve zpetnem smeru (SD) a tim
padem je bipolarita v cudu. Jak se to da obejit? Resp.
jak udelat model tranzistoru se 4 vyvody? Kdyz zadam parametry NMOS
tranzistoru (typicky SD210, 2N4351) do model editoru, tak ten automaticky
predpoklada se ze jedna o tranzistor se 3 vyvody.
Diky
d.