Ochrana obvodu

Pavel Rotter PavelRotter
Středa Březen 17 11:50:36 CET 2004


Dobry den,

add1) nekde jsem videl docela dobry napad, MOSFET kanal N v zapornem vodici
napajeni a gate pres rezistor na plus, když polarita OK tak MOSFET je
saturován a ubytek je velmi maly, kdyz je polarita obracena, tak je MOSFET
zcela uzavren. Popisuji pouze princip detailne si to jiz nepamatuji.

add2)je-li 'OZ' operacni zesilovac tak lze dnes koupit typy, ktere mají
vsechny pozadované ochrany jiz implantovany. Jinak se pouziva ochranny
rezistor 100R a dvojice diod proti napájení (katoda prvni na +, anoda prvni
a katoda druhe na výstup OZ a anoda druhe na -). Je to pouze zakladni
ochrana ale ve vetčine připadu funguje uspokojive (pouze je nutné zjistit
zda zdroj napajejici 'OZ' je schopen pohltit energii pred kterou ma být 'OZ'
chranen, dost se na to zapomina a pak ochrany tohoto typu nefunguji). Je
take treba zvazit vliv serioveho rezistoru na vystupu (nekdy muze byt ubytek
jiz neunosny).

add3)Princip je podobny jako u vystupu, pouziva ochranny rezistor a dvojice
diod nebo tranzistoru proti napájení. Nekdy i diferencialne mezi vstupy. I
to pouze zakladni ochrana, zde je treba prihlednout i ke konkretni aplikaci
protoze nekdy nelze takove zapojeni pouzit.

S pozdravem Pavel Rotter

za NEWTE spol. s r .o.
Jateční 847
415 01 TEPLICE

tel.   0417-440 40
fax:   0417-462 20
eMail: PavelRotter@newte.cz
http://www.newte.cz

> 1. Jak udelat ochranu pred prepolovanim jinak
> nez s diodou, ktera ma prilis velky ubytek
> napeti, potreboval bych ubytek max. 0,1V?
> 2. Lze udelat ochranu vystupu OZ proti zkratu,
> pretizeni a pripojeni jineho napeti?
> 3. Jak udelat ochranu vstupu OZ proti prepeti?
> Martin Locker
> e-mail: locker@vosrk.cz
>







Další informace o konferenci Hw-list